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소비전력 감소 및 출력성능 개선을 위한 나노시트 반도체소자 및 그 제조방법

본 기술은 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것

특허 출원/등록 번호

  • 출원번호 : 10-2022-0078323
  • 등록번호 : 10-2780383

대표도

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기술 동향

  • 나노시트 반도체 기술은 초미세 반도체 공정에서 핵심적인 역할을 합니다. 현재 2나노 이하 공정에서 주로 사용되며, 핀펫(FinFET)을 대체하여 트랜지스터 성능을 향상시키는 데 기여하고 있음. 나노시트 기반 반도체는 전력 효율 및 성능 향상, 칩 크기 감소 등의 장점을 가지며, GAA(Gate-All-Around) 기술과 결합하여 더욱 발전하고 있음

특장점

  • 기판 내부에 삽입된 공기층(결함층)에 의해 누설전류가 억제되고 출력성능이 개선될 수 있으며, 그것에 의해, 누설전류의 감소가 가능하므로 반도체소자의 대기전력을 감소하여 전체적인 시스템의 전력소모 및 발열을 개선할 수 있는 동시에, 출력전류의 증가가 가능하므로 반도체소자의 속도의 개선 가능

    [10 나노시트 반도체소자, 11 기판, 12 절연체(STI), 13 소스 단자, 14 게이트 단자, 15 드레인 단자, 16 나노시트, 17 결함층]

    나노시트 반도체소자에 SON (Silicon-On-Nothing) 구조를 적용하여 상기 기판 내부에 형성되는 공기층으로 형성되는 결함층을 포함하여 구성됨으로써, 상기 기판 내부에 형성된 상기 공기층에 의해 OFF 상태에서의 누설전류가 감소되는 동시에, ON 상태에서의 출력전류가 증가될 수 있도록 구성되는 것을 특징

기술의 완성도

  • TRL1
  • TRL2
  • TRL3
  • TRL4
    실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가
  • TRL5
  • TRL6
  • TRL7
  • TRL8
  • TRL9

가능한 사업화 형태

  • 기술이전 또는 실시권 설정
키워드
담당자
  • 기술사업화팀
  • 043-261-3873