CBNU T-Market
본 기술은 3차원 플래시 메모리 및 그의 구동 방법에 관한 것으로, 높은 집적도의 3차원 플래시 메모리의 수명을 연장할 수 있는 3차원 플래시 메모리 및 그의 구동 방법에 관한 것
더 빠른 데이터 처리와 액세스 속도에 대한 수요가 증가함에 따라 3D 낸드 플래시 메모리의 성능을 최적화하고 있으며, 제조업체들은 지연 시간 감소, 읽기/쓰기 속도 증가, 전반적인 데이터 전송 속도 향상에 주력하고 있음
전 세계 3D NAND 플래시 메모리 시장의 주요 기업으로는 삼성전자, SK 하이닉스 반도체, 도시바, 마이크론 테크놀로지, 인텔, 애플, 레노버 그룹, AMD, ST마이크로일렉트로닉스, 샌디스크 등이 있음
본 발명의 3차원 플래시 메모리는 기판층; 상기 기판층 위에 수직으로 형성된 적층 구조체; 상기 적층 구조체 내부에 구비된 플러그 메탈; 및 상기 기판층을 관통하여 상기 플로그 메탈에 연결되는 메탈 필러 전극을 포함
3차원 플래시 메모리의 프로그램 및 이레이즈 과정에서 손상된 터널링 옥사이드의 손상을 회복시키는 일렉트로 써멀 어닐링(electro-thermal annealing)을 통해 플래시 메모리의 수명을 연장시킬 수 있음