CBNU T-Market
본 기술은 높은 집적도의 삼차원 V-NAND 메모리의 수명을 연장할 수 있는 3차원 플래시 메모리 구동 방법에 관한 것
더 빠른 데이터 처리와 액세스 속도에 대한 수요가 증가함에 따라 3D 낸드 플래시 메모리의 성능을 최적화하고 있으며, 제조업체들은 지연 시간 감소, 읽기/쓰기 속도 증가, 전반적인 데이터 전송 속도 향상에 주력하고 있음
전 세계 3D NAND 플래시 메모리 시장의 주요 기업으로는 삼성전자, SK 하이닉스 반도체, 도시바, 마이크론 테크놀로지, 인텔, 애플, 레노버 그룹, AMD, ST마이크로일렉트로닉스, 샌디스크 등이 있음
수직 적층형 3차원 플래시 메모리 구동 방법에 의하면 메모리 사용 가능 횟수를 증가시킬뿐만 아니라, 저장되는 데이터의 저장 수명가지 연장할 수 있음
수직 적층형 3차원 플래시 메모리 셀에 데이터를 기록하는 단계; 상기 수직 적층형 3차원 플래시 메모리 셀에 기록된 상기 데이터를 삭제하는 단계; 상기 수직 적층형 3차원 플래시 메모리 셀 내의 O/N/O층에 손상이 발생하는지를 모니터링하는 단계; 및 상기 O/N/O층에 손상이 발생하면, 상기 수직 적층형 3차원 플래시 메모리 셀의 소정 워드라인에 전류를 인가하여 발열을 유도하는 단계를 포함