CBNU T-Market
본 기술은 다공성 실리콘을 포함하는 적층구조 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로 반도체 소자 개발 기술에 적용 가능
실리콘 웨이퍼 기반에 대한 투자를 늘리고 있으며, 파운드리 업체들은 실리콘 대신 2차원 재료를 사용하여 모놀리식 3D 집적회로를 개발하는 채널로 사용하는 등 기술을 사용하여 트랜지스터 밀도를 향상시키기 위한 연구를 진행하고 있음. TSMC의 칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 기술은 패키지 내에 8개의 HBM 메모리 장비와 결합된 두 개의 거대한 프로세서를 위한 공간을 갖춘 세계 최대 규모의 실리콘 인터포저를 개발
다공성 실리콘 성장 중 공극률을 조절하여 다양한 구성의 다공성 실리콘을 형성할 수 있는 효과가 있음
또한 다공성 실리콘의 성장 중 공극률을 변화시키는 방법으로 박막의 표면층, 중간층 또는 바닥층 등 원하는 위치에 다공성 실리콘을 성장시키고 공극의 분포와 밀도를 조절할 수 있는 효과가 있음