충북대 기업지원센터

특허 출원/등록 번호

• 출원번호 : 10-2021-0126289
• 등록번호 : 10-2587586

대표도

기술 동향

• 3D NAND 플래시 메모리의 등장 후 낸드 제조 기업들은 일제히 낸드 적층에 돌입, 2013년 24단이던 3D NAND 플래시 단수는 10년 만에 200단을 넘어섰고, 최근 SK하이닉스는 321단 낸드 플래시 개발 단계 샘플을 전시하고 2025년부터 양산하겠다는 계획을 발표

  WL 단수를 증가시켜 메모리 셀 어레이의 집적도를 높이는 방법 외에, 근래에는 주변 회로의 면적을 최소화하는 기술이 도입되었고, 주변 회로가 칩에서 차지하는 면적 비중을 줄이기 위해 주변 회로 공정을 먼저 진행한 이후 그 위에 셀 어레이를 형성하는 구조가 개발됨

특장점

• 절연층 내부의 에어갭을 통해, 특정 워드라인에 인가된 동작 전압이 그에 인접한 다른 워드라인으로 전달되어 생기는 셀 간 간섭 현상을 효과적으로 개선

  내부의 에어갭을 통해 층간 절연층의 두께를 축소할 수 있어, 3D 플래시 메모리의 칩 집적도를 향상

  게이트 전극층의 워드라인과 그에 인접한 워드라인 사이에 존재하는 절연층(SiO2층) 내부에 일정 부피의 에어갭을 마련한 셀 구조의 3D 플래시 메모리를 제작함으로써, 절연층 내부의 에어갭을 통해 셀 간 간섭 현상을 개선

기술의 완성도

• TRL1
• TRL2
• TRL3
• TRL4
  실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가
• TRL5
• TRL6
• TRL7
• TRL8
• TRL9

가능한 사업화 형태

• 기술이전 또는 실시권 설정