나노시트 반도체 소자 제조 방법은, 기판 상에 에피택셜 성장으로 두께의 도핑층을 형성하는 단계, 제1반도체층과 제2반도체층의 스택 구조체를 형성하는 단계, 소스/드레인 영역을 형성을 위해 스택 구조체를 식각하는 단계, 스택 구조체상부에 희생층을 형성하는 단계, 스택 구조체 및 희생층의 일부에 제1 절연층을 형성하는 단계, 소스/드레인 영역에 소스 및 드레인을 형성하는 단계, 소스 및 게이트 상부에 제2절연층을 형성하는 단계, 제1 반도체층을 제거하고, 제거된 영역에 게이트를 형성하는 단계를 포함함
1층 채널에서 발생하는 펀치쓰루(punch- through) 현상을 억제하여 반도체 소자의 누설전류를 억제할 수 있는 나노시트 반도체 소자를 제조 하는 방법임